на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV100ENEAR NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMV100ENEAR за ціною від 6.13 грн до 32.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV100ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV100ENEAR | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV100ENEA/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 20644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV100ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV100ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain current: 3A On-state resistance: 0.118Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Gate charge: 5.5nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMV100ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain current: 3A On-state resistance: 0.118Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Gate charge: 5.5nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 30V |
товар відсутній |