
PMV100EPAR Nexperia
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV100EPAR Nexperia
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV100EPAR за ціною від 7.72 грн до 47.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 85974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.4A Pulsed drain current: -9A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 276mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PMV100EPAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.4A Pulsed drain current: -9A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 276mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |