Продукція > NEXPERIA > PMV100EPAR
PMV100EPAR

PMV100EPAR Nexperia

pmv100epa.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV100EPAR Nexperia

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV100EPAR за ціною від 8.65 грн до 29.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMV100EPAR PMV100EPAR Nexperia pmv100epa.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR PMV100EPAR Nexperia pmv100epa.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2815+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 2815 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR PMV100EPAR Nexperia pmv100epa.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2815+12.60 грн
10000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 2815 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR PMV100EPAR Nexperia USA Inc. PMV100EPA.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
14+22.66 грн
100+13.23 грн
500+11.10 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR PMV100EPAR NEXPERIA PMV100EPA.pdf Description: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR PMV100EPAR NEXPERIA PMV100EPA.pdf Description: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR pmv100epa.pdf
PMV100EPAR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR pmv100epa.pdf
PMV100EPAR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2815+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 2815 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR pmv100epa.pdf
PMV100EPAR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2815+12.60 грн
10000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 2815 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR PMV100EPA.pdf
PMV100EPAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.51 грн
14+22.66 грн
100+13.23 грн
500+11.10 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR PMV100EPA.pdf
PMV100EPAR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV100EPAR PMV100EPA.pdf
PMV100EPAR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.