PMV100EPAR Nexperia
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV100EPAR Nexperia
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV100EPAR за ціною від 7.83 грн до 35.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV100EPAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT23 P CHAN 60V |
на замовлення 15636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV100EPAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV100EPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV100EPAR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMV100EPAR | Виробник : NEXPERIA |
PMV100EPAR SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PMV100EPAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |