на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 3.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV100XPEAR NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV100XPEAR за ціною від 3.25 грн до 38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMV100XPEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : Nexperia | MOSFET PMV100XPEA/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV100XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 463mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -10A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain current: -1.5A On-state resistance: 187mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -10A Drain-source voltage: -20V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
PMV100XPEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -10A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain current: -1.5A On-state resistance: 187mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: -10A Drain-source voltage: -20V |
товар відсутній |