Технічний опис PMV130ENEAR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 460mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Інші пропозиції PMV130ENEAR за ціною від 7.26 грн до 32.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV130ENEAR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 705000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMV130ENEAR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMV130ENEAR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB |
на замовлення 13614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMV130ENEAR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMV130ENEAR | Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 40V 2.1A |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PMV130ENEAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 3670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PMV130ENEAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 3670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMV130ENEAR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 705000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.14 грн |
| PMV130ENEAR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 611+ | 23.19 грн |
| 830+ | 17.06 грн |
| 898+ | 15.76 грн |
| 1143+ | 11.94 грн |
| 1447+ | 8.73 грн |
| 3000+ | 7.26 грн |
| PMV130ENEAR |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
на замовлення 13614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.92 грн |
| 17+ | 18.10 грн |
| 50+ | 13.04 грн |
| 100+ | 10.70 грн |
| 500+ | 7.96 грн |
| PMV130ENEAR |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 32.40 грн |
| 31+ | 24.93 грн |
| 33+ | 23.19 грн |
| 100+ | 16.45 грн |
| 250+ | 14.07 грн |
| 500+ | 10.61 грн |
| 1000+ | 8.38 грн |
| 3000+ | 7.26 грн |
| PMV130ENEAR |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 40V 2.1A
MOSFETs SOT23 N-CH 40V 2.1A
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMV130ENEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMV130ENEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







