Продукція > NEXPERIA > PMV130ENEAR
PMV130ENEAR

PMV130ENEAR NEXPERIA

pmv130enea.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV130ENEAR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 460mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PMV130ENEAR за ціною від 5.26 грн до 35.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV130ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.36 грн
6000+ 5.99 грн
9000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia pmv130enea.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 705000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV130ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+11.73 грн
37+ 9.5 грн
100+ 8.53 грн
120+ 6.63 грн
329+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 32
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV130ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.07 грн
25+ 11.84 грн
100+ 10.24 грн
120+ 7.96 грн
329+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0001057162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.72 грн
500+ 9.36 грн
1000+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia pmv130enea.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
611+19.13 грн
830+ 14.08 грн
898+ 13 грн
1143+ 9.85 грн
1447+ 7.2 грн
3000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 611
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia pmv130enea.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.83 грн
31+ 19.1 грн
33+ 17.77 грн
100+ 12.6 грн
250+ 10.78 грн
500+ 8.13 грн
1000+ 6.42 грн
3000+ 5.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV130ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.81 грн
15+ 19.63 грн
100+ 9.92 грн
500+ 8.25 грн
1000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia PMV130ENEA-2938838.pdf MOSFET PMV130ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 74745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.47 грн
15+ 20.45 грн
100+ 11.85 грн
500+ 8.72 грн
1000+ 6.73 грн
3000+ 5.33 грн
6000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0001057162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+35.71 грн
29+ 26.37 грн
100+ 14.72 грн
500+ 9.36 грн
1000+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia pmv130enea.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній