на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV130ENEAR NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV130ENEAR за ціною від 4.98 грн до 34.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 705000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMV130ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 233mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMV130ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 8A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 233mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV130ENEA/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 74745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| PMV130ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - MOSFET, N-KANAL, 40V, 2.1A, SOT23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
PMV130ENEAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |