Продукція > NEXPERIA > PMV130ENEAR
PMV130ENEAR

PMV130ENEAR NEXPERIA

pmv130enea.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV130ENEAR NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV130ENEAR за ціною від 5.82 грн до 36.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia pmv130enea.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 705000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia pmv130enea.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
611+20.10 грн
830+14.79 грн
898+13.66 грн
1143+10.35 грн
1447+7.57 грн
3000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 611
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV130ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.02 грн
18+22.53 грн
20+19.70 грн
50+13.24 грн
100+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia pmv130enea.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+30.09 грн
31+23.15 грн
33+21.53 грн
100+15.28 грн
250+13.07 грн
500+9.86 грн
1000+7.78 грн
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia PMV130ENEA.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 40V 2.1A
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.86 грн
18+19.75 грн
100+8.85 грн
500+7.64 грн
1000+6.73 грн
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV130ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.82 грн
11+28.08 грн
12+23.64 грн
50+15.88 грн
100+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV130ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.00 грн
15+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia pmv130enea.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0001057162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0001057162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV130ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV130ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.