Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV15ENEAR
PMV15ENEAR

PMV15ENEAR Nexperia USA Inc.

PMV15ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.29 грн
6000+6.81 грн
9000+6.70 грн
15000+6.18 грн
21000+6.11 грн
30000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV15ENEAR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV15ENEAR за ціною від 6.89 грн до 21.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV15ENEAR PMV15ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV15ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 71419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.39 грн
27+11.88 грн
31+10.46 грн
100+8.42 грн
250+7.74 грн
500+7.34 грн
1000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENEAR PMV15ENEAR Виробник : Nexperia PMV15ENEA.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 19974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.25 грн
28+12.76 грн
100+8.80 грн
500+8.34 грн
1000+7.96 грн
3000+7.42 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENEAR PMV15ENEAR Виробник : NEXPERIA pmv15enea.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV15ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV15ENEA.pdf PMV15ENEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.