Продукція > NEXPERIA > PMV160UP,215

PMV160UP,215 NEXPERIA

NEXP-S-A0003105522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV160UP,215 - Leistungs-MOSFET, Trench, p-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 335mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PMV160UP,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMV160UP,215 - Leistungs-MOSFET, Trench, p-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 335mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Інші пропозиції PMV160UP,215 за ціною від 6.05 грн до 6.05 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

PMV160UP,215

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMV160UP,215 - Leistungs-MOSFET, Trench, p-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 335mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PMV160UP,215

NXP

Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
кількість в упаковці: 95 шт

на замовлення 95 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

95+	6.05 грн

Мінімальне замовлення: 95 шт

В кошику од. на суму грн.

PMV160UP,215

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV160UP,215 - Leistungs-MOSFET, Trench, p-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 335mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PMV160UP,215

Виробник: NXP
Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin TO-236AB PMV160UP,215 TPMV160u
кількість в упаковці: 95 шт

на замовлення 95 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
95+	6.05 грн

Мінімальне замовлення: 95 шт

В кошику од. на суму грн.