на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 3.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV164ENEAR NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.164 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 640mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMV164ENEAR за ціною від 3.13 грн до 34.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV164ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV164ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.164 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV164ENEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 218mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 640mW (Ta), 5.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 111969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV164ENEAR | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV164ENEA/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 85335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV164ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV164ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.164 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 640mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.164ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PMV164ENEAR | Виробник : NEXPERIA |
PMV164ENEAR SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |