PMV16XNR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.48 грн |
| 6000+ | 6.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV16XNR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMV16XNR за ціною від 5.43 грн до 39.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV16XNR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV16XNR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV16XNR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV16XNR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V |
на замовлення 7263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV16XNR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV16XNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV16XNR | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMV16XN/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 86989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV16XNR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PMV16XNR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMV16XNR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.6A; Idm: 27A; 510mW Power dissipation: 0.51W Case: SOT23; TO236AB Polarisation: unipolar Drain current: 8.6A Kind of package: reel; tape Gate charge: 13.4nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 27A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PMV16XNR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.6A; Idm: 27A; 510mW Power dissipation: 0.51W Case: SOT23; TO236AB Polarisation: unipolar Drain current: 8.6A Kind of package: reel; tape Gate charge: 13.4nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 27A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V |
товару немає в наявності |