PMV20ENR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.9 грн |
| 6000+ | 6.5 грн |
| 9000+ | 5.75 грн |
| 30000+ | 5.33 грн |
| 75000+ | 4.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV20ENR Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMV20ENR за ціною від 5.9 грн до 30.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV20ENR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV20ENR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV20ENR | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV20EN/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 149607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV20ENR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
на замовлення 175314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV20ENR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |