Продукція > NEXPERIA > PMV20ENR
PMV20ENR

PMV20ENR Nexperia

pmv20en.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV20ENR Nexperia

Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMV20ENR за ціною від 4.46 грн до 40.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : Nexperia pmv20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.30 грн
6000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : Nexperia pmv20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4011+6.04 грн
10000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 4011
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.38 грн
500+10.71 грн
1500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FFA5E10578747&compId=PMV20EN.pdf?ci_sign=3f3093ca4db4a9a191a47bf829f68fb7d5e726b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.8nC
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.45 грн
26+15.67 грн
50+9.85 грн
100+8.19 грн
164+5.67 грн
452+5.36 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949FFA5E10578747&compId=PMV20EN.pdf?ci_sign=3f3093ca4db4a9a191a47bf829f68fb7d5e726b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.54 грн
16+19.53 грн
50+11.81 грн
100+9.83 грн
164+6.81 грн
452+6.43 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 97274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.54 грн
16+19.93 грн
100+10.35 грн
500+8.90 грн
1000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : Nexperia PMV20EN.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 30V 6A
на замовлення 15950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.43 грн
16+22.09 грн
100+9.75 грн
500+9.00 грн
1000+6.35 грн
3000+4.84 грн
6000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : NEXPERIA PMV20EN.pdf Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.21 грн
50+24.68 грн
100+12.38 грн
500+10.71 грн
1500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : Nexperia pmv20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : Nexperia pmv20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : Nexperia pmv20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20ENR Виробник : NEXPERIA pmv20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.