на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV20ENR Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMV20ENR за ціною від 4.71 грн до 42.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMV20ENR | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV20ENR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV20ENR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
на замовлення 3411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV20ENR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV20ENR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V |
на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV20ENR | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 30V 6A |
на замовлення 15950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV20ENR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV20ENR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV20ENR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PMV20ENR | Виробник : NEXPERIA |
PMV20ENR SMD N channel transistors |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PMV20ENR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMV20ENR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PMV20ENR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |