
PMV20XNEAR Nexperia
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
179+ | 6.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV20XNEAR Nexperia
Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV20XNEAR за ціною від 6.62 грн до 39.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 19937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
PMV20XNEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PMV20XNEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |