Продукція > NEXPERIA > PMV213SN,215
PMV213SN,215

PMV213SN,215 Nexperia


pmv213sn.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV213SN,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMV213SN,215 за ціною від 9.14 грн до 43.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2916+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 2916
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 65831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2916+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 2916
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA PMV213SN.pdf Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PMV213SN.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
880+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 880
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
587+14.75 грн
1000+13.51 грн
3000+12.22 грн
6000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 587
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
639+18.98 грн
834+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 639
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA PMV213SN.pdf Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.14 грн
500+16.54 грн
1500+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
368+24.37 грн
500+20.18 грн
1000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA PMV213SN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.69 грн
19+20.95 грн
50+16.62 грн
92+10.08 грн
252+9.53 грн
3000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia PMV213SN.pdf MOSFETs SOT23 100V 1.9A
на замовлення 199145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.93 грн
15+24.17 грн
100+16.56 грн
500+12.33 грн
1000+11.42 грн
3000+9.53 грн
6000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA PMV213SN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.63 грн
12+26.11 грн
50+19.94 грн
92+12.10 грн
252+11.44 грн
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA 3822556.pdf Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.66 грн
50+26.30 грн
100+22.14 грн
500+14.57 грн
1500+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PMV213SN.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
на замовлення 248928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.35 грн
12+26.94 грн
100+19.49 грн
500+15.14 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 Виробник : NXP PMV213SN.pdf N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.