Продукція > NEXPERIA > PMV213SN,215
PMV213SN,215

PMV213SN,215 NEXPERIA

pmv213sn.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV213SN,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMV213SN,215 за ціною від 9.23 грн до 46.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2916+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 2916
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 65831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2916+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 2916
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA 43993.pdf Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.213 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.67 грн
9000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PMV213SN.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
587+12.91 грн
1000+11.82 грн
3000+10.69 грн
6000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 587
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
880+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 880
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
639+19.16 грн
834+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 639
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
368+21.33 грн
500+17.66 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA 3822556.pdf Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.09 грн
500+16.51 грн
1500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA PMV213SN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.47 грн
50+21.93 грн
85+11.00 грн
233+10.38 грн
3000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia PMV213SN.pdf MOSFETs N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 207158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.66 грн
15+24.56 грн
100+17.96 грн
250+17.13 грн
500+12.68 грн
1000+11.62 грн
3000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA PMV213SN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.57 грн
50+27.33 грн
85+13.21 грн
233+12.45 грн
3000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia USA Inc. PMV213SN.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
на замовлення 248928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.26 грн
12+26.88 грн
100+19.45 грн
500+15.11 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : NEXPERIA 3822556.pdf Description: NEXPERIA - PMV213SN,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.22 грн
50+30.39 грн
100+22.09 грн
500+16.51 грн
1500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 Виробник : NXP PMV213SN.pdf N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) PMV213SN,215 TPMV213sn
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 Виробник : Nexperia pmv213sn.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.