Продукція > NEXPERIA > PMV230ENEAR
PMV230ENEAR

PMV230ENEAR Nexperia

2038775066975806pmv230enea.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.29 грн
6000+4.51 грн
9000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV230ENEAR Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV230ENEAR за ціною від 4.72 грн до 31.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia 2038775066975806pmv230enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.70 грн
6000+4.86 грн
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia 2038775066975806pmv230enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5273+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 5273
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia 2038775066975806pmv230enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1395+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 1395
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia 2038775066975806pmv230enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
929+9.31 грн
1000+8.57 грн
3000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 929
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105460-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.18 грн
500+8.59 грн
1500+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia 2038775066975806pmv230enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
290+26.56 грн
500+25.45 грн
1000+25.41 грн
3000+25.37 грн
6000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia 2038775066975806pmv230enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+27.76 грн
500+27.71 грн
1000+27.67 грн
3000+26.64 грн
6000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia PMV230ENEA.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.5A
на замовлення 11839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.05 грн
23+15.65 грн
100+8.39 грн
500+7.49 грн
1000+6.12 грн
3000+5.07 грн
6000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105460-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.01 грн
50+17.13 грн
100+10.18 грн
500+8.59 грн
1500+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV230ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.08 грн
17+18.59 грн
100+11.70 грн
500+8.18 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia 2038775066975806pmv230enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV230ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 441mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV230ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV230ENEAR PMV230ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV230ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 441mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.