
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.49 грн |
9000+ | 4.18 грн |
24000+ | 3.91 грн |
45000+ | 3.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV250EPEAR Nexperia
Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV250EPEAR за ціною від 3.74 грн до 24.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 60496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -1A Power dissipation: 0.89W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 177042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -1A Power dissipation: 0.89W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
PMV250EPEAR | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |