на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV27UPEAR NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV27UPEAR за ціною від 8.95 грн до 30.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV27UPEAR | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV27UPEAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV27UPEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV27UPEAR | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV27UPEA/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 25139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV27UPEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -18A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMV27UPEAR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMV27UPEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMV27UPEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.8A Pulsed drain current: -18A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |