Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV27UPER
PMV27UPER

PMV27UPER Nexperia USA Inc.

PMV27UPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.46 грн
6000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV27UPER Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMV27UPER за ціною від 9.70 грн до 31.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMV27UPER PMV27UPER Nexperia USA Inc. PMV27UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
16+20.08 грн
100+15.51 грн
500+12.62 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPER PMV27UPER Nexperia PMV27UPE-2938972.pdf MOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPER PMV27UPE.pdf
PMV27UPER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.35 грн
16+20.08 грн
100+15.51 грн
500+12.62 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPER PMV27UPE-2938972.pdf
PMV27UPER
Виробник: Nexperia
MOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.