PMV280ENEAR


PMV280ENEA.pdf
Код товару: 194408
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PMV280ENEAR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMV280ENEAR PMV280ENEAR Nexperia USA Inc. PMV280ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEAR PMV280ENEAR Nexperia USA Inc. PMV280ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEAR PMV280ENEAR Nexperia PMV280ENEA.pdf MOSFETs SOT23 100V 1.1A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEAR PMV280ENEA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEAR PMV280ENEA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEAR PMV280ENEA.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 100V 1.1A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.