Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV28ENEAR
PMV28ENEAR

PMV28ENEAR Nexperia USA Inc.

PMV28ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV28ENEAR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV28ENEAR за ціною від 5.61 грн до 26.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV28ENEAR PMV28ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV28ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.55 грн
16+ 18.5 грн
100+ 11.11 грн
500+ 9.65 грн
1000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMV28ENEAR PMV28ENEAR Виробник : Nexperia PMV28ENEA-1596142.pdf MOSFET PMV28ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 31343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.64 грн
16+ 19.42 грн
100+ 12.22 грн
500+ 9.61 грн
1000+ 7.21 грн
3000+ 5.94 грн
6000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMV28ENEAR PMV28ENEAR Виробник : NEXPERIA pmv28enea.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMV28ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV28ENEA.pdf PMV28ENEAR SMD N channel transistors
товар відсутній