Продукція > NEXPERIA > PMV28ENEAR
PMV28ENEAR

PMV28ENEAR NEXPERIA

pmv28enea.pdf Виробник: NEXPERIA
30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV28ENEAR NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV28ENEAR за ціною від 6.50 грн до 28.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV28ENEAR PMV28ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV28ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENEAR PMV28ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV28ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.17 грн
16+19.85 грн
100+12.99 грн
500+9.15 грн
1000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENEAR PMV28ENEAR Виробник : Nexperia PMV28ENEA.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.05 грн
16+21.91 грн
100+12.48 грн
500+9.38 грн
1000+8.02 грн
3000+6.88 грн
6000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV28ENEA.pdf PMV28ENEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.