Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV30UN2R Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMV30UN2R за ціною від 5.39 грн до 26.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV30UN2R | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
PMV30UN2R | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1244000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
PMV30UN2R | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
PMV30UN2R | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
PMV30UN2R | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
PMV30UN2R | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
PMV30UN2R | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 407 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| PMV30UN2R | NXP |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30uкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| PMV30UN2R |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 407+ | 5.58 грн |
| PMV30UN2R |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1244000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4894+ | 7.21 грн |
| 10000+ | 6.44 грн |
| 100000+ | 5.39 грн |
| PMV30UN2R |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.10 грн |
| PMV30UN2R |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 556+ | 26.15 грн |
| PMV30UN2R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMV30UN2R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




