PMV30UN2R Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.92 грн |
| 6000+ | 4.39 грн |
| 9000+ | 4.18 грн |
| 15000+ | 3.92 грн |
| 21000+ | 3.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV30UN2R Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMV30UN2R за ціною від 4.15 грн до 43.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1244000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V |
на замовлення 24968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.2A |
на замовлення 22824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30u кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Виробник : NEXPERIA |
PMV30UN2R SMD N channel transistors |
на замовлення 4026 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PMV30UN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |