Технічний опис PMV30XPAR Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, Verlustleistung: 610mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Інші пропозиції PMV30XPAR за ціною від 7.72 грн до 41.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV30XPAR | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMV30XPAR | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMV30XPAR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Part Status: Active Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) |
на замовлення 12810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMV30XPAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 610mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PMV30XPAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 610mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMV30XPAR |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.27 грн |
| 6000+ | 8.13 грн |
| 9000+ | 7.72 грн |
| PMV30XPAR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 9.34 грн |
| PMV30XPAR |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
на замовлення 12810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.16 грн |
| 13+ | 24.46 грн |
| 100+ | 15.59 грн |
| 500+ | 11.02 грн |
| 1000+ | 9.86 грн |
| PMV30XPAR |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 610mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 610mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMV30XPAR |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 610mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 610mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)