PMV30XPAR Nexperia USA Inc.


PMV30XPA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.35 грн
6000+8.20 грн
9000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV30XPAR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PMV30XPAR за ціною від 9.95 грн до 41.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMV30XPAR PMV30XPAR Nexperia USA Inc. PMV30XPA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
на замовлення 12810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.68 грн
100+15.74 грн
500+11.13 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPAR PMV30XPAR Nexperia PMV30XPA.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 20V
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPAR PMV30XPA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
на замовлення 12810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.54 грн
13+24.68 грн
100+15.74 грн
500+11.13 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPAR PMV30XPA.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 P CHAN 20V
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.