Інші пропозиції PMV32UP,215 за ціною від 8.30 грн до 88.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV32UP,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A Power dissipation: 930mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMV32UP,215 | Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 144010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMV32UP,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 510mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| PMV32UP,215 | NXP |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32upкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| PMV32UP,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 25.95 грн |
| 20+ | 20.94 грн |
| 22+ | 19.20 грн |
| PMV32UP,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 144010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 40.19 грн |
| 14+ | 24.13 грн |
| 100+ | 13.46 грн |
| 500+ | 10.15 грн |
| 1000+ | 9.46 грн |
| PMV32UP,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 510mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 510mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 88.59 грн |
| PMV32UP,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.30 грн |
З цим товаром купують
| KX-KT 8.0 MHz (кварцовий резонатор) Код товару: 33015
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Geyer
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/S-SMD (QSMD12.3x4.5x4.2)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 16 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 60 00 00
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 8 MHz
Корпус: HC-49/S-SMD (QSMD12.3x4.5x4.2)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 16 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 60 00 00
у наявності: 527 шт
- 395 шт - склад
- 39 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 49 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 16.00 грн |
| 10+ | 14.20 грн |
| SMBJ6.0A-TR Код товару: 28284
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність, P, W: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 7,05 V
Постійна зворотна напруга, Vrm: 6 V
Струм витоку, Irm: 50 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність, P, W: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 7,05 V
Постійна зворотна напруга, Vrm: 6 V
Струм витоку, Irm: 50 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
у наявності: 132 шт
- 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 33 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 43 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| LM2904DR (TI, SO-8) Код товару: 27964
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vc, V: 3…32 V
Смуга пропускання BW, MHz: 0,7 MHz
Напруга зміщення Vio, mV: 7 mV
Швидкість наростання, V/µs: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: -40…+125°C
Додаткові параметри: Zahl Kanäle: 2
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vc, V: 3…32 V
Смуга пропускання BW, MHz: 0,7 MHz
Напруга зміщення Vio, mV: 7 mV
Швидкість наростання, V/µs: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: -40…+125°C
Додаткові параметри: Zahl Kanäle: 2
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
у наявності: 921 шт
- 841 шт - склад
- 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 4.90 грн |
| 100+ | 4.20 грн |
| 1000+ | 3.55 грн |
| BZV55-C10 Код товару: 7857
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, V: 10 V
Струм стабілізації Izt, mA: 5 mA
Потужність Pd, W: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 6.4 mV/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, V: 10 V
Струм стабілізації Izt, mA: 5 mA
Потужність Pd, W: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 6.4 mV/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
у наявності: 374 шт
- 94 шт - склад
- 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 82 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 80 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| 47uF 25V ELV SMD sizeC (ELV470M25RC) (електролітичний конденсатор SMD) Код товару: 7002
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номінальна напруга: 25 V
Серія: ELV, SMD
Температурний діапазон: -40...+85°C
Типорозмір, габарити: SMD size C
Макс. пульсуючий струм: 60 mA
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номінальна напруга: 25 V
Серія: ELV, SMD
Температурний діапазон: -40...+85°C
Типорозмір, габарити: SMD size C
Макс. пульсуючий струм: 60 mA
у наявності: 597 шт
- 350 шт - склад
- 42 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 185 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |










