на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV32UP,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMV32UP,215 за ціною від 7.50 грн до 67.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV32UP,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMV32UP,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMV32UP,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMV32UP,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V |
на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMV32UP,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMV32UP/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 213760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMV32UP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMV32UP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A Power dissipation: 930mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMV32UP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A Power dissipation: 930mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2796 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PMV32UP,215 | Виробник : NXP |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
PMV32UP,215 Код товару: 188518
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|