PMV35EPER Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV35EPER Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PMV35EPER за ціною від 10.45 грн до 46.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 480mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -17A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -17A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V |
на замовлення 6411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV35EPER | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV35EPE/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 9419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV35EPER | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
PMV35EPER Код товару: 187543 |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 30 V Id,A: 5,3 A Rds(on),Om: 35 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8 |
товар відсутній
|