PMV35EPER


PMV35EPE.pdf
Код товару: 187543
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 35 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 793/12,8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PMV35EPER за ціною від 10.73 грн до 18.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMV35EPER PMV35EPER Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+16.37 грн
1000+14.12 грн
3000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER 4283595881199375pmv35epe.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER 4283595881199375pmv35epe.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
454+16.37 грн
1000+14.12 грн
3000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER 4283595881199375pmv35epe.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
865+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER 4283595881199375pmv35epe.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.