Продукція > NEXPERIA > PMV35EPER
PMV35EPER

PMV35EPER NEXPERIA

4283595881199375pmv35epe.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV35EPER NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PMV35EPER за ціною від 8.60 грн до 65.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
454+13.11 грн
1000+11.31 грн
3000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
865+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.54 грн
500+13.41 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003074133-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.77 грн
50+26.66 грн
100+21.54 грн
500+13.41 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV35EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+26.29 грн
100+17.66 грн
500+12.83 грн
1000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia PMV35EPE.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 17521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.37 грн
13+27.83 грн
100+17.07 грн
500+12.14 грн
1000+10.59 грн
3000+9.05 грн
6000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : NEXPERIA PMV35EPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A; ESD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 19.2nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -17A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.47 грн
13+30.04 грн
25+24.37 грн
50+20.84 грн
54+16.86 грн
147+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : NEXPERIA PMV35EPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -17A; ESD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 19.2nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -17A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
10+37.43 грн
25+29.24 грн
50+25.01 грн
54+20.23 грн
147+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER
Код товару: 187543
Додати до обраних Обраний товар

PMV35EPE.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 35 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 793/12.8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia 4283595881199375pmv35epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER PMV35EPER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV35EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.