PMV37EN2R

PMV37EN2R Nexperia USA Inc.


PMV37EN2.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.11 грн
6000+4.65 грн
9000+4.38 грн
15000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV37EN2R Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMV37EN2R за ціною від 4.61 грн до 28.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV37EN2R PMV37EN2R Виробник : Nexperia PMV37EN2.pdf MOSFETs PMV37EN2/SOT23/TO-236AB
на замовлення 44275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.97 грн
19+18.02 грн
100+7.61 грн
1000+6.30 грн
3000+5.56 грн
9000+4.83 грн
24000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2R PMV37EN2R Виробник : Nexperia USA Inc. PMV37EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 24896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.51 грн
21+14.64 грн
100+7.93 грн
500+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2R PMV37EN2R Виробник : NEXPERIA PMV37EN2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2R PMV37EN2R Виробник : NEXPERIA PMV37EN2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Pulsed drain current: 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.