PMV37EN2R Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.24 грн |
| 6000+ | 5.88 грн |
| 9000+ | 5.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV37EN2R Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMV37EN2R за ціною від 5.79 грн до 33.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMV37EN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V |
на замовлення 21753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV37EN2R | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV37EN2/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV37EN2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 16A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMV37EN2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.8A; Idm: 16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 16A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |