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Технічний опис PMV37ENEAR Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 710mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMV37ENEAR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PMV37ENEAR | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
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PMV37ENEAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 710mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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PMV37ENEAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMV37ENEAR |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMV37ENEAR |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMV37ENEAR |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)