Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV42ENER
PMV42ENER

PMV42ENER Nexperia USA Inc.

PMV42ENE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.04 грн
6000+ 6.5 грн
9000+ 5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV42ENER Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMV42ENER за ціною від 5.13 грн до 28.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV42ENER PMV42ENER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV42ENE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
на замовлення 12229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.93 грн
15+ 19.56 грн
100+ 11.7 грн
500+ 10.17 грн
1000+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMV42ENER PMV42ENER Виробник : Nexperia PMV42ENE-1539855.pdf MOSFET PMV42ENE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 76318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.67 грн
15+ 21.29 грн
100+ 11.59 грн
500+ 7.92 грн
1000+ 6.13 грн
3000+ 5.46 грн
6000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMV42ENER Виробник : NEXPERIA PMV42ENE.pdf PMV42ENER SMD N channel transistors
товар відсутній