PMV45EN2R

PMV45EN2R Nexperia USA Inc.


PMV45EN2.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV45EN2R Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMV45EN2R за ціною від 4.99 грн до 36.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.86 грн
9000+5.34 грн
24000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.39 грн
9000+5.75 грн
24000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
604+12.56 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 604
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
907+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 907
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA PMV45EN2.pdf Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.08 грн
500+9.01 грн
1500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A013B2DC8F8747&compId=PMV45EN2.pdf?ci_sign=a913a1f905df7a03077b03206c3ec51b29beb72c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1115mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.19 грн
21+19.45 грн
50+14.43 грн
100+12.60 грн
148+6.38 грн
404+6.06 грн
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA PMV45EN2.pdf Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.88 грн
50+21.98 грн
100+14.08 грн
500+9.01 грн
1500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A013B2DC8F8747&compId=PMV45EN2.pdf?ci_sign=a913a1f905df7a03077b03206c3ec51b29beb72c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1115mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.03 грн
13+24.24 грн
50+17.32 грн
100+15.12 грн
148+7.65 грн
404+7.27 грн
3000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia USA Inc. PMV45EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 13193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.60 грн
14+23.52 грн
100+12.44 грн
500+9.71 грн
1000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia PMV45EN2.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 29331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.52 грн
16+22.79 грн
100+12.32 грн
500+10.48 грн
1000+8.27 грн
3000+6.51 грн
6000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R Виробник : NXP PMV45EN2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R
Код товару: 187508
Додати до обраних Обраний товар

PMV45EN2.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.