Інші пропозиції PMV45EN2R за ціною від 5.19 грн до 34.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Power dissipation: 1115mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 510mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Power dissipation: 1115mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7892 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV45EN2/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 44836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV45EN2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V |
на замовлення 57603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 510mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMV45EN2R | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PMV45EN2R | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
| Світлодіод інфрачервоний 4,5x4,6x2,5mm, 940нм IR928-6C-F Код товару: 182055 |
|
Виробник: Everlight
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Опис: ІЧ-світлодіод 940нм
Розмір: 4,5x4,6x2,5 mm
Лінза: прозора
Напруга: 1,2...1,5 V
Кут: 40°
Монтаж: THT
Довжина хвилі: 940 нм
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Опис: ІЧ-світлодіод 940нм
Розмір: 4,5x4,6x2,5 mm
Лінза: прозора
Напруга: 1,2...1,5 V
Кут: 40°
Монтаж: THT
Довжина хвилі: 940 нм
у наявності: 1485 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 3.5 грн |
| 10+ | 2.9 грн |
| 100+ | 2.5 грн |