Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV45EN2R
PMV45EN2R

PMV45EN2R Nexperia USA Inc.

PMV45EN2.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV45EN2R Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMV45EN2R за ціною від 4.96 грн до 35.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.81 грн
9000+5.30 грн
24000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.34 грн
9000+5.70 грн
24000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
604+12.47 грн
1000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 604
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
907+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 907
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA PMV45EN2.pdf Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.50 грн
500+8.64 грн
1500+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA PMV45EN2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.99 грн
21+18.65 грн
50+13.84 грн
100+12.08 грн
147+6.12 грн
403+5.81 грн
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA PMV45EN2.pdf Description: NEXPERIA - PMV45EN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.65 грн
50+21.08 грн
100+13.50 грн
500+8.64 грн
1500+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA PMV45EN2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.59 грн
13+23.25 грн
50+16.60 грн
100+14.49 грн
147+7.34 грн
403+6.97 грн
3000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia USA Inc. PMV45EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 13193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
14+22.55 грн
100+11.93 грн
500+9.31 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : Nexperia PMV45EN2.pdf MOSFETs PMV45EN2/SOT23/TO-236AB
на замовлення 57192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
16+21.27 грн
100+10.49 грн
1000+9.54 грн
3000+6.39 грн
9000+5.58 грн
24000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R Виробник : NXP PMV45EN2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB PMV45EN2R TPMV45e
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R
Код товару: 187508
Додати до обраних Обраний товар

PMV45EN2.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R Виробник : NEXPERIA pmv45en2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.