Продукція > NEXPERIA > PMV45EN2VL

PMV45EN2VL NEXPERIA

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.115W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PMV45EN2VL NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.115W, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMV45EN2VL

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
PMV45EN2VL	Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
PMV45EN2VL	Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
PMV45EN2VL	Nexperia	MOSFETs 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
PMV45EN2VL	NEXPERIA	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.
PMV45EN2VL	Nexperia	Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн.

PMV45EN2VL

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

PMV45EN2VL

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PMV45EN2VL

Виробник: Nexperia
MOSFETs 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PMV45EN2VL

Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

PMV45EN2VL

Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.