Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV48XPVL Nexperia USA Inc.
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -2.2A, Pulsed drain current: -14A, Power dissipation: 930mW, Case: SOT23; TO236AB, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 55mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції PMV48XPVL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMV48XPVL | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
PMV48XPVL | Nexperia |
MOSFETs PMV48XP/SOT23/TO-236AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
PMV48XPVL | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 930mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
PMV48XPVL | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMV48XPVL |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PMV48XPVL |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMV48XP/SOT23/TO-236AB
MOSFETs PMV48XP/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PMV48XPVL |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.