Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV50ENEAR
PMV50ENEAR

PMV50ENEAR Nexperia USA Inc.

PMV50ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV50ENEAR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV50ENEAR за ціною від 6.61 грн до 44.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV50ENEAR PMV50ENEAR Виробник : Nexperia PMV50ENEA.pdf MOSFETs PMV50ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 25995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.48 грн
16+22.45 грн
100+10.27 грн
1000+8.44 грн
3000+7.12 грн
9000+6.68 грн
24000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50ENEAR PMV50ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV50ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.46 грн
12+26.07 грн
100+16.63 грн
500+11.77 грн
1000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV50ENEA.pdf PMV50ENEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50ENEAR PMV50ENEAR Виробник : NEXPERIA 1747208364390829pmv50enea.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.