PMV50EPEAR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV50EPEAR Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMV50EPEAR за ціною від 6.31 грн до 38.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV50EPEAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV50EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMV50EPEAR | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 115502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMV50EPEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMV50EPEAR | Виробник : NEXPERIA |
PMV50EPEAR SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |