PMV50EPEAR

PMV50EPEAR Nexperia USA Inc.


PMV50EPEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.49 грн
6000+ 6.91 грн
9000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV50EPEAR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV50EPEAR за ціною від 5.71 грн до 28.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV50EPEAR PMV50EPEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV50EPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
14+ 20.76 грн
100+ 12.44 грн
500+ 10.81 грн
1000+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMV50EPEAR PMV50EPEAR Виробник : Nexperia PMV50EPEA-2938818.pdf MOSFET PMV50EPEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 118333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.13 грн
16+ 19.63 грн
100+ 10.16 грн
1000+ 6.84 грн
3000+ 6.11 грн
9000+ 5.98 грн
24000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 12