PMV50UPE,215 Nexperia
Код товару: 215731
Виробник: NexperiaКорпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 50 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 24/10,5
Примітка : 20 V, single P-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується 25 шт:
25 шт - очікується
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PMV50UPE,215 за ціною від 6.03 грн до 50.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV50UPE,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 14925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV50UPE,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V |
на замовлення 4531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV50UPE,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 955mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV50UPE,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |