Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > PMV50UPE,215 Nexperia
PMV50UPE,215

PMV50UPE,215 Nexperia

PMV50UPE.pdf
Код товару: 215731
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Nexperia
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 50 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 24/10,5
Примітка : 20 V, single P-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
у наявності: 25 шт
  • 25 шт - склад
КількістьЦіна
1+97.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PMV50UPE,215 за ціною від 5.38 грн до 40.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMV50UPE,215 PMV50UPE,215 Nexperia PMV50UPE-1319083.pdf MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 14925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.13 грн
13+26.10 грн
100+14.11 грн
1000+7.40 грн
3000+6.70 грн
9000+5.73 грн
24000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215 PMV50UPE,215 Nexperia USA Inc. PMV50UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.06 грн
13+23.60 грн
50+17.07 грн
100+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215 PMV50UPE,215 NEXPERIA PMV50UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 955mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215 PMV50UPE-1319083.pdf
PMV50UPE,215
Виробник: Nexperia
MOSFET PMV50UPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 14925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.13 грн
13+26.10 грн
100+14.11 грн
1000+7.40 грн
3000+6.70 грн
9000+5.73 грн
24000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215 PMV50UPE.pdf
PMV50UPE,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.06 грн
13+23.60 грн
50+17.07 грн
100+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50UPE,215 PMV50UPE.pdf
PMV50UPE,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV50UPE,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 955mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.