PMV50XNEAR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.64 грн |
| 6000+ | 6.25 грн |
| 9000+ | 5.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV50XNEAR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMV50XNEAR за ціною від 5.36 грн до 32.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV50XNEAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV50XNEAR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV50XNEAR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV50XNEAR | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.4A |
на замовлення 6774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV50XNEAR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 14A; ESD Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Version: ESD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 5nC On-state resistance: 0.11Ω Drain current: 2.2A Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 14A Drain-source voltage: 30V Technology: Trench |
товару немає в наявності |