PMV50XNEAR Nexperia USA Inc.


PMV50XNEA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.30 грн
6000+5.93 грн
9000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV50XNEAR Nexperia USA Inc.

Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PMV50XNEAR за ціною від 6.36 грн до 28.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMV50XNEAR PMV50XNEAR Nexperia USA Inc. PMV50XNEA.pdf Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.28 грн
16+19.52 грн
100+9.83 грн
500+8.18 грн
1000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEAR PMV50XNEA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.28 грн
16+19.52 грн
100+9.83 грн
500+8.18 грн
1000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.