Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV50XNEAR
PMV50XNEAR

PMV50XNEAR Nexperia USA Inc.

PMV50XNEA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.17 грн
6000+5.81 грн
9000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV50XNEAR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMV50XNEAR за ціною від 6.23 грн до 27.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMV50XNEAR PMV50XNEAR Nexperia USA Inc. PMV50XNEA.pdf Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.71 грн
16+19.12 грн
100+9.63 грн
500+8.01 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEAR PMV50XNEAR NEXPERIA PMV50XNEA.pdf Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEAR PMV50XNEAR NEXPERIA PMV50XNEA.pdf Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEAR PMV50XNEA.pdf
PMV50XNEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 590mW (Ta), 5.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
16+19.12 грн
100+9.63 грн
500+8.01 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEAR PMV50XNEA.pdf
PMV50XNEAR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XNEAR PMV50XNEA.pdf
PMV50XNEAR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV50XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.