Продукція > NEXPERIA > PMV52ENEAR
PMV52ENEAR

PMV52ENEAR NEXPERIA

pmv52enea.pdf Виробник: NEXPERIA
30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV52ENEAR NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV52ENEAR за ціною від 5.43 грн до 39.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV52ENEAR PMV52ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV52ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENEAR PMV52ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV52ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
14+22.86 грн
100+11.15 грн
500+10.24 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENEAR PMV52ENEAR Виробник : Nexperia PMV52ENEA.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.04 грн
14+25.15 грн
100+11.23 грн
500+10.49 грн
1000+8.37 грн
3000+6.46 грн
9000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENEAR PMV52ENEAR Виробник : NEXPERIA pmv52enea.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV52ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV52ENEA.pdf PMV52ENEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.