Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV55ENEAR
PMV55ENEAR

PMV55ENEAR Nexperia USA Inc.

PMV55ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV55ENEAR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV55ENEAR за ціною від 6.51 грн до 30.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMV55ENEAR PMV55ENEAR Виробник : Nexperia PMV55ENEA-2939006.pdf MOSFET PMV55ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 416839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.13 грн
16+ 19.94 грн
100+ 11.36 грн
1000+ 7.51 грн
3000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMV55ENEAR PMV55ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV55ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.9 грн
12+ 23.46 грн
100+ 14.06 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV55ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV55ENEA.pdf PMV55ENEAR SMD N channel transistors
товар відсутній
PMV55ENEAR PMV55ENEAR Виробник : NEXPERIA 1747225512447091pmv55enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній