Продукція > NEXPERIA > PMV55ENEAR
PMV55ENEAR

PMV55ENEAR Nexperia

PMV55ENEA.pdf Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 60V 3.1A
на замовлення 359870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.01 грн
22+16.32 грн
100+11.10 грн
500+9.51 грн
1000+7.85 грн
3000+7.10 грн
6000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV55ENEAR Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV55ENEAR за ціною від 6.96 грн до 60.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV55ENEAR PMV55ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV55ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
18+17.85 грн
100+10.75 грн
500+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEAR PMV55ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV55ENEA.pdf Description: NEXPERIA - PMV55ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.1 A, 0.06 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 478mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.55 грн
50+17.61 грн
100+11.43 грн
500+10.54 грн
1500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEAR PMV55ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV55ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12.6A; 8.36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12.6A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Power dissipation: 8.36W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.81 грн
10+39.32 грн
12+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEAR PMV55ENEAR Виробник : NEXPERIA PMV55ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12.6A; 8.36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12.6A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Power dissipation: 8.36W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.97 грн
6+49.00 грн
10+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEAR PMV55ENEAR Виробник : NEXPERIA 1747225512447091pmv55enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEAR PMV55ENEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV55ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.