PMV65UNER Nexperia USA Inc.


PMV65UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.24 грн
6000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV65UNER Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PMV65UNER за ціною від 3.97 грн до 33.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMV65UNER PMV65UNER Nexperia PMV65UNE.pdf MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 25430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.98 грн
21+15.62 грн
100+6.55 грн
3000+5.64 грн
9000+4.74 грн
24000+4.60 грн
45000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNER PMV65UNER Nexperia USA Inc. PMV65UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.85 грн
50+14.34 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNER PMV65UNE.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 25430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.98 грн
21+15.62 грн
100+6.55 грн
3000+5.64 грн
9000+4.74 грн
24000+4.60 грн
45000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNER PMV65UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.70 грн
16+19.85 грн
50+14.34 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.