PMV65UNER Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.24 грн |
| 6000+ | 6.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV65UNER Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PMV65UNER за ціною від 3.97 грн до 33.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMV65UNER | Nexperia |
MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 25430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMV65UNER | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PMV65UNER |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB
MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 25430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 23.98 грн |
| 21+ | 15.62 грн |
| 100+ | 6.55 грн |
| 3000+ | 5.64 грн |
| 9000+ | 4.74 грн |
| 24000+ | 4.60 грн |
| 45000+ | 3.97 грн |
| PMV65UNER |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.70 грн |
| 16+ | 19.85 грн |
| 50+ | 14.34 грн |
| 100+ | 11.76 грн |



