Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV65UNER Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMV65UNER за ціною від 6.26 грн до 21.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMV65UNER | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMV65UNER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMV65UNER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMV65UNER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMV65UNER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMV65UNER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMV65UNER | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.8A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 11A Gate charge: 6nC Version: ESD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 903 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMV65UNER | Nexperia |
MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 25430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
PMV65UNER | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PMV65UNER | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PMV65UNER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 603 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMV65UNER |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.26 грн |
| PMV65UNER |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 603+ | 6.54 грн |
| PMV65UNER |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.83 грн |
| PMV65UNER |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.88 грн |
| PMV65UNER |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 470+ | 20.05 грн |
| 500+ | 19.95 грн |
| 1000+ | 19.86 грн |
| 3000+ | 19.06 грн |
| 6000+ | 17.56 грн |
| PMV65UNER |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 706+ | 20.05 грн |
| 709+ | 19.95 грн |
| 1000+ | 19.86 грн |
| 3000+ | 19.06 грн |
| 6000+ | 17.56 грн |
| PMV65UNER |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11A
Gate charge: 6nC
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 11A
Gate charge: 6nC
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 21.93 грн |
| 26+ | 16.46 грн |
| 100+ | 13.15 грн |
| 500+ | 9.84 грн |
| PMV65UNER |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB
MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 25430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMV65UNER |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMV65UNER |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)