на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV65UNER NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMV65UNER за ціною від 4.56 грн до 37.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV65UNER | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV65UNER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV65UNER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV65UNER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV65UNER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV65UNER | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV65UNER | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV65UNER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV65UNER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV65UNER | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 25430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV65UNER | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV65UNER | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V |
на замовлення 7064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV65UNER | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PMV65UNER | Виробник : NEXPERIA |
PMV65UNER SMD N channel transistors |
на замовлення 9379 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|