Продукція > NEXPERIA > PMV65XPEAR
PMV65XPEAR

PMV65XPEAR NEXPERIA

NEXP-S-A0003100987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.21 грн
500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV65XPEAR NEXPERIA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMV65XPEAR за ціною від 9.42 грн до 43.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Виробник : Nexperia 4381776181984015pmv65xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1798+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1798
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Виробник : NXP Semiconductors 4381776181984015pmv65xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 34890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1798+17.79 грн
10000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 1798
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003100987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.70 грн
30+30.00 грн
100+16.21 грн
500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV65XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.73 грн
15+23.45 грн
100+14.93 грн
500+10.54 грн
1000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Виробник : Nexperia PMV65XPEA.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+40.89 грн
13+28.28 грн
100+14.45 грн
500+11.18 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR Виробник : NEXPERIA PMV65XPEA.pdf PMV65XPEAR SMD P channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.53 грн
50+25.18 грн
68+17.46 грн
187+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Виробник : NEXPERIA 4381776181984015pmv65xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Виробник : Nexperia USA Inc. PMV65XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.