Продукція > NEXPERIA > PMV65XPER
PMV65XPER

PMV65XPER Nexperia

4381703529768550pmv65xpe.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV65XPER Nexperia

Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMV65XPER за ціною від 5.60 грн до 34.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : Nexperia 4381703529768550pmv65xpe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1765+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 1765
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : Nexperia 4381703529768550pmv65xpe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1176+7.35 грн
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 1176
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : NEXPERIA 4381703529768550pmv65xpe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : Nexperia 4381703529768550pmv65xpe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1283+9.45 грн
1429+8.48 грн
1610+7.53 грн
2000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 1283
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : Nexperia 4381703529768550pmv65xpe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.38 грн
500+9.22 грн
1500+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : NEXPERIA PMV65XPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
Gate charge: 9nC
Version: ESD
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.84 грн
21+18.90 грн
50+13.00 грн
100+11.03 грн
108+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV65XPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.72 грн
15+22.45 грн
100+11.20 грн
500+9.18 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : Nexperia PMV65XPE.pdf MOSFETs PMV65XPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.52 грн
16+22.96 грн
100+10.21 грн
1000+7.86 грн
3000+6.20 грн
24000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : NEXPERIA PMV65XPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
Gate charge: 9nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.61 грн
13+23.56 грн
50+15.60 грн
100+13.23 грн
108+10.30 грн
297+9.74 грн
500+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.95 грн
50+21.71 грн
100+12.38 грн
500+9.22 грн
1500+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : Nexperia 4381703529768550pmv65xpe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV65XPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.