Продукція > NEXPERIA > PMV65XPVL
PMV65XPVL

PMV65XPVL NEXPERIA

4381518898093755pmv65xp.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV65XPVL NEXPERIA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PMV65XPVL за ціною від 5.36 грн до 39.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV65XPVL PMV65XPVL Виробник : Nexperia PMV65XP.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A
на замовлення 11059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.01 грн
17+20.57 грн
100+10.19 грн
500+6.87 грн
1000+5.66 грн
20000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPVL PMV65XPVL Виробник : Nexperia USA Inc. PMV65XP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
14+23.28 грн
50+16.83 грн
100+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPVL PMV65XPVL Виробник : Nexperia 4381518898093755pmv65xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPVL PMV65XPVL Виробник : Nexperia USA Inc. PMV65XP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPVL PMV65XPVL Виробник : NEXPERIA PMV65XP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.