Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV74EPER
PMV74EPER

PMV74EPER Nexperia USA Inc.

PMV74EPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.40 грн
6000+5.96 грн
9000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV74EPER Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PMV74EPER за ціною від 8.17 грн до 34.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMV74EPER PMV74EPER Nexperia USA Inc. PMV74EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 10985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.53 грн
100+10.36 грн
500+9.16 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV74EPER PMV74EPER Nexperia PMV74EPE.pdf MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV74EPER PMV74EPE.pdf
PMV74EPER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 10985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.49 грн
15+20.53 грн
100+10.36 грн
500+9.16 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV74EPER PMV74EPE.pdf
PMV74EPER
Виробник: Nexperia
MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.