Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMV74EPER
PMV74EPER

PMV74EPER Nexperia USA Inc.

PMV74EPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.48 грн
6000+6.03 грн
9000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV74EPER Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMV74EPER за ціною від 8.28 грн до 43.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV74EPER PMV74EPER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV74EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
на замовлення 10985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
15+20.79 грн
100+10.49 грн
500+9.28 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV74EPER PMV74EPER Виробник : Nexperia PMV74EPE-2938792.pdf MOSFET 30V P-CHANNEL
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.15 грн
11+31.48 грн
100+15.56 грн
500+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV74EPER Виробник : NEXPERIA pmv74epe.pdf 30 V, P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV74EPER Виробник : NEXPERIA PMV74EPE.pdf PMV74EPER SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.