PMV75UP,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.4 грн |
| 6000+ | 4.97 грн |
| 9000+ | 4.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV75UP,215 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMV75UP,215 за ціною від 3.34 грн до 32.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV75UP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMV75UP,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V |
на замовлення 12645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV75UP,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMV75UP/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 48192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMV75UP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -10A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 146mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMV75UP,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -10A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 146mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |