PMV90ENER

PMV90ENER Nexperia USA Inc.


PMV90ENE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.27 грн
6000+4.73 грн
9000+4.39 грн
15000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMV90ENER Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 460mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm.

Інші пропозиції PMV90ENER за ціною від 4.59 грн до 39.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.19 грн
6000+6.09 грн
9000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.66 грн
6000+6.56 грн
9000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV90ENE.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 19605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
18+17.43 грн
100+8.43 грн
500+7.68 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : NEXPERIA PMV90ENE.pdf Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 8405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.53 грн
36+23.38 грн
100+13.26 грн
500+8.10 грн
1000+5.72 грн
3000+5.29 грн
6000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia PMV90ENE.pdf MOSFETs PMV90ENE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.79 грн
16+21.10 грн
100+8.66 грн
1000+6.83 грн
3000+5.36 грн
9000+4.77 грн
24000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER Виробник : NEXPERIA PMV90ENE.pdf PMV90ENER SMD N channel transistors
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.81 грн
149+7.25 грн
409+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : NEXPERIA 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.