Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMV90ENER Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 460mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm.
Інші пропозиції PMV90ENER за ціною від 7.04 грн до 111.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMV90ENER | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PMV90ENER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PMV90ENER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PMV90ENER | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PMV90ENER | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 0.118Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PMV90ENER | Nexperia |
MOSFETs PMV90ENE/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
PMV90ENER | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm |
на замовлення 8405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMV90ENER |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.41 грн |
| PMV90ENER |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.76 грн |
| 6000+ | 7.64 грн |
| 9000+ | 7.04 грн |
| PMV90ENER |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.76 грн |
| 6000+ | 7.64 грн |
| 9000+ | 7.04 грн |
| PMV90ENER |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.29 грн |
| 17+ | 18.17 грн |
| 100+ | 11.44 грн |
| 500+ | 8.01 грн |
| PMV90ENER |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 111.86 грн |
| PMV90ENER |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMV90ENE/SOT23/TO-236AB
MOSFETs PMV90ENE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMV90ENER |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 8405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)