PMV90ENER

PMV90ENER Nexperia


PMV90ENE.pdf
Код товару: 215730
Виробник: Nexperia
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 3,7 A
Rds(on), Ohm: 54 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 160/3,6
Примітка: 30 V, N-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
товару немає в наявності

очікується 25 шт:

25 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PMV90ENER за ціною від 4.92 грн до 41.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.90 грн
6000+6.79 грн
9000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.40 грн
6000+7.28 грн
9000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : NEXPERIA PMV90ENE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.50 грн
21+20.01 грн
24+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : NEXPERIA PMV90ENE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.80 грн
13+24.94 грн
15+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : NEXPERIA PMV90ENE.pdf Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 8405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.83 грн
36+25.08 грн
100+14.22 грн
500+8.69 грн
1000+6.13 грн
3000+5.68 грн
6000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV90ENE.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.92 грн
16+21.08 грн
50+15.21 грн
100+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia PMV90ENE.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3A
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.89 грн
15+25.17 грн
50+15.83 грн
100+13.78 грн
1000+10.08 грн
3000+7.72 грн
6000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : NEXPERIA 580174513813459pmv90ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Виробник : Nexperia USA Inc. PMV90ENE.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.