Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > PMV90ENER Nexperia
PMV90ENER

PMV90ENER Nexperia

PMV90ENE.pdf
Код товару: 215730
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Nexperia
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 3,7 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 54 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 160/3,6
Примітка: 30 V, N-channel Trench MOSFET
Монтаж: SMD
у наявності: 25 шт
  • 25 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+90.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PMV90ENER за ціною від 6.51 грн до 112.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMV90ENER PMV90ENER Nexperia USA Inc. PMV90ENE.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.61 грн
100+10.45 грн
500+7.31 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER NEXPERIA PMV90ENE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Gate charge: 5.5nC
Pulsed drain current: 12A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENER Nexperia PMV90ENE.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3A
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENE.pdf
PMV90ENER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
19+16.61 грн
100+10.45 грн
500+7.31 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENE.pdf
PMV90ENER
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Gate charge: 5.5nC
Pulsed drain current: 12A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENE.pdf
PMV90ENER
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3A
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.