PMXB350UPEZ NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
на замовлення 659217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3703+ | 5.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMXB350UPEZ NXP Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMXB350UPEZ за ціною від 4.70 грн до 30.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMXB350UPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V |
на замовлення 4205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMXB350UPEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMXB350UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PMXB350UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
PMXB350UPEZ SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PMXB350UPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |