PMXB350UPEZ NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3703+ | 5.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3703 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMXB350UPEZ NXP Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMXB350UPEZ за ціною від 6.11 грн до 24.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMXB350UPEZ | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V |
на замовлення 4205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMXB350UPEZ | Nexperia |
MOSFETs PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMXB350UPEZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.68 грн |
| 21+ | 14.41 грн |
| 100+ | 7.13 грн |
| 500+ | 6.44 грн |
| 1000+ | 6.11 грн |
| PMXB350UPEZ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3
MOSFETs PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)