Продукція > NEXPERIA > PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ

PMXB360ENEAZ NEXPERIA


4373093179389934pmxb360enea.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 80V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB360ENEAZ NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMXB360ENEAZ за ціною від 5.71 грн до 28.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMXB360ENEAZ PMXB360ENEAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB360ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.88 грн
10000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZ PMXB360ENEAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB360ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.94 грн
18+18.00 грн
100+10.36 грн
500+8.23 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZ PMXB360ENEAZ Виробник : Nexperia PMXB360ENEA.pdf MOSFETs 80 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 44562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.52 грн
18+20.31 грн
100+10.19 грн
500+7.17 грн
1000+7.02 грн
2500+6.94 грн
5000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZ Виробник : NEXPERIA PMXB360ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 4.4A
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 887mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB360ENEAZ Виробник : NEXPERIA PMXB360ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 4.4A
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 887mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.