PMXB40UNEZ

PMXB40UNEZ Nexperia USA Inc.


PMXB40UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
на замовлення 4987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
15+20.41 грн
100+12.71 грн
500+8.25 грн
1000+6.94 грн
2000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB40UNEZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMXB40UNEZ за ціною від 5.65 грн до 34.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMXB40UNEZ PMXB40UNEZ Виробник : Nexperia PMXB40UNE-2938633.pdf MOSFET PMXB40UNE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.91 грн
15+23.21 грн
100+13.14 грн
500+9.54 грн
1000+6.61 грн
5000+6.16 грн
10000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZ PMXB40UNEZ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMXB40UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.58 грн
50+20.25 грн
250+10.37 грн
1000+7.30 грн
3000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZ Виробник : NXP PMXB40UNE.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP PMXB40UNEZ TPMXB40u
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZ PMXB40UNEZ Виробник : NEXPERIA 4376264826507059pmxb40une.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZ Виробник : NEXPERIA PMXB40UNE.pdf PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB40UNEZ PMXB40UNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB40UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 556 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.