Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMXB43UNEZ
PMXB43UNEZ

PMXB43UNEZ Nexperia USA Inc.

PMXB43UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.48 грн
10000+5.35 грн
15000+5.28 грн
25000+4.91 грн
35000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB43UNEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMXB43UNEZ за ціною від 5.14 грн до 36.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMXB43UNEZ PMXB43UNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB43UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 10 V
на замовлення 47295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
18+17.66 грн
100+9.12 грн
500+8.30 грн
1000+7.40 грн
2000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZ PMXB43UNEZ Виробник : Nexperia PMXB43UNE-2939008.pdf MOSFETs PMXB43UNE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.65 грн
14+25.57 грн
100+9.98 грн
1000+6.97 грн
5000+6.46 грн
10000+5.80 грн
50000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZ PMXB43UNEZ Виробник : NEXPERIA 4380112841768718pmxb43une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZ PMXB43UNEZ Виробник : NEXPERIA 4380112841768718pmxb43une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB43UNEZ Виробник : NEXPERIA PMXB43UNE.pdf PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.