Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMXB56ENZ
PMXB56ENZ

PMXB56ENZ Nexperia USA Inc.

PMXB56EN.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.98 грн
13+ 21.5 грн
100+ 10.84 грн
500+ 9.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB56ENZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMXB56ENZ за ціною від 6.73 грн до 35.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMXB56ENZ PMXB56ENZ Виробник : Nexperia PMXB56EN-2938872.pdf MOSFET PMXB56EN/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 11256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.82 грн
12+ 26.65 грн
100+ 14.32 грн
500+ 9.92 грн
1000+ 6.86 грн
2500+ 6.79 грн
5000+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMXB56ENZ PMXB56ENZ Виробник : NEXPERIA pmxb56en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB56ENZ Виробник : NEXPERIA PMXB56EN.pdf PMXB56ENZ SMD N channel transistors
товар відсутній
PMXB56ENZ PMXB56ENZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB56EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
товар відсутній