Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMXB65ENEZ
PMXB65ENEZ

PMXB65ENEZ Nexperia USA Inc.

PMXB65ENE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB65ENEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMXB65ENEZ за ціною від 7.21 грн до 42.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMXB65ENEZ PMXB65ENEZ Виробник : Nexperia PMXB65ENE-2939009.pdf MOSFET PMXB65ENE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.96 грн
13+28.17 грн
100+13.61 грн
1000+8.53 грн
5000+7.87 грн
10000+7.36 грн
25000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZ PMXB65ENEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB65ENE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 12004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
12+26.06 грн
100+13.11 грн
500+11.47 грн
1000+9.79 грн
2000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZ PMXB65ENEZ Виробник : NEXPERIA 4493349071840252pmxb65ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZ PMXB65ENEZ Виробник : Nexperia 4493349071840252pmxb65ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB65ENEZ Виробник : NEXPERIA PMXB65ENE.pdf PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.