Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMXB75UPEZ
PMXB75UPEZ

PMXB75UPEZ Nexperia USA Inc.

PMXB75UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+4.76 грн
10000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB75UPEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMXB75UPEZ за ціною від 4.55 грн до 31.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMXB75UPEZ PMXB75UPEZ Виробник : NEXPERIA 4380264154737432pmxb75upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZ PMXB75UPEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB75UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 10 V
на замовлення 11768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
18+17.66 грн
100+8.12 грн
500+6.89 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZ PMXB75UPEZ Виробник : Nexperia PMXB75UPE.pdf MOSFETs N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 22202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.77 грн
17+20.59 грн
100+8.22 грн
500+7.49 грн
1000+6.46 грн
2500+5.94 грн
5000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMXB75UPEZ Виробник : NEXPERIA PMXB75UPE.pdf PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.