Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZ1000UN,315

PMZ1000UN,315 Nexperia USA Inc.

Name: PMZ1000UN,315
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 83687320-3
Price: 20373.36 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA

на замовлення 10631028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2172+	9.38 грн

Мінімальне замовлення: 2172 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PMZ1000UN,315 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 480mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMZ1000UN,315

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
PMZ1000UN,315	Nexperia	MOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3	на замовлення 10845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
PMZ1000UN,315	NEXPERIA	Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	на замовлення 17490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн.
PMZ1000UN,315	NEXPERIA	Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	на замовлення 17490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн.
PMZ1000UN,315	NEXPERIA	Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)	на замовлення 10843200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 7002 шт В кошику од. на суму грн.
PMZ1000UN,315	NXP	Description: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)	на замовлення 10843200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 7002 шт В кошику од. на суму грн.

PMZ1000UN,315

Виробник: Nexperia
MOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3

на замовлення 10845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PMZ1000UN,315

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 480 mA, 1 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

PMZ1000UN,315

NEXP-S-A0003059652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

на замовлення 17490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

PMZ1000UN,315

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10843200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 7002 шт

В кошику од. на суму грн.

PMZ1000UN,315

Виробник: NXP
Description: NXP - PMZ1000UN,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10843200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 7002 шт

В кошику од. на суму грн.