PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMZ130UNEYL за ціною від 4.33 грн до 31.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZ130UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 23458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ130UNEYL | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMZ130UNE/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 51586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ130UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.12 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 350 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 23458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ130UNEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V |
на замовлення 16921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ130UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMZ130UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 8A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PMZ130UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 8A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench |
товару немає в наявності |