Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZ130UNEYL
PMZ130UNEYL

PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc.

PMZ130UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.12 грн
50+14.51 грн
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMZ130UNEYL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMZ130UNEYL PMZ130UNEYL NEXPERIA PMZ130UNE.pdf Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNEYL NEXPERIA PMZ130UNE.pdf Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL Nexperia PMZ130UNE.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
PMZ130UNEYL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
PMZ130UNEYL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.