PMZ130UNEYL NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 11.35 грн |
| 105+ | 8.11 грн |
| 250+ | 6.24 грн |
| 1000+ | 5.68 грн |
| 5000+ | 5.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ130UNEYL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMZ130UNEYL за ціною від 5.14 грн до 35.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMZ130UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ130UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.8 A, 0.15 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ130UNEYL | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.8A |
на замовлення 12145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ130UNEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V |
на замовлення 7613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ130UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMZ130UNEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMZ130UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 8A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 8A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench |
товару немає в наявності |